三极管的基极(用字母B表示--B取自英文Base，基本的、基础的)，其他的两个电极分别称为-C取自英文Collector，收集)和发射极(用字母E表示-- E取自英文集电极(用字母C表示-Emitter，发射)。基区和发射区之间的结成为发射结，基区和集电区之间的结成为集电结。

NPN和PNP的区别？

NPN型三极管: 由两块N型半导体和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。 三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。 

PNP型三极管: 由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。

一、npn器件

npn（negative-positive-negative）是一种半导体三极管，其结构包括三个半导体区域：发射区、基区和集电区。其中，发射区和基区之间是发射结，基区和集电区之间是集电结。当给发射结施加正向电压时，电流会从发射区流向基区。

npn器件具有以下特点：

1. 电流增益高。由于npn器件的电流增益大于1，因此它可以放大电流。这是npn器件的主要应用之一，如放大器、振荡器等。

2. 输入阻抗低。npn器件的输入阻抗较低，因此它对信号源的影响较大。这使得npn器件不适合用于高输入阻抗的电路中。

3. 输出阻抗高。npn器件的输出阻抗较高，这意味着它的输出信号容易受到负载电阻的影响。因此，在使用npn器件时需要注意选择合适的负载电阻。

4. 频率响应宽。npn器件的频率响应较宽，因此它可以应用于高速电路中。

二、pnp器件

pnp（positive-negative-positive）是一种与npn相反的半导体三极管，其结构也包括三个半导体区域：发射区、基区和集电区。其中，发射区和基区之间是发射结，基区和集电区之间是集电结。当给发射结施加正向电压时，电流会从基区流向发射区。

pnp器件具有以下特点：

1. 电流增益低。由于pnp器件的电流增益小于1，因此它不能放大电流。这是pnp器件的主要应用之一，如开关电路、逻辑电路等。

2. 输入阻抗高。pnp器件的输入阻抗较高，因此它对信号源的影响较小。这使得pnp器件适合用于高输入阻抗的电路中。

3. 输出阻抗低。pnp器件的输出阻抗较低，这意味着它的输出信号不容易受到负载电阻的影响。因此，在使用pnp器件时不需要选择太精确的负载电阻。

4. 频率响应较窄。pnp器件的频率响应较窄，因此它不适合应用于高速电路中。

三、应用场景

npn和pnp器件在不同的应用场景中有各自的优势和不足。在音频放大器、射频放大器等电路中，通常使用npn器件；而在数字电路、开关电源等电路中，通常使用pnp器件。

总之，npn和pnp器件虽然结构相似，但它们的工作原理和应用场景有很大的不同。在实际应用中需要根据具体需求来选择合适的器件类型。